Los científicos de China han superado esta barrera con una estructura completamente nueva. Su chip utiliza un diseño que reemplaza las tradicionales «aletas» de los transistores FinFET por una estructura puenteada, lo aumenta el área de contacto y mejora la eficiencia. Gracias a esto, el chip no solo procesa información a mayor velocidad, sino que también reduce el consumo de energía y la disipación de calor.
Este avance surge en un contexto de restricciones tecnológicas impuestas por Estados Unidos, que limitan el acceso de China a la fabricación de semiconductores avanzados. La nueva tecnología, basada en transistores GAAFET «Gate-All-Around Field-Effect Transistors» y la cual utiliza bismuto en lugar de silicio, podría marcar un punto de inflexión en la industria de semiconductores.
Uno de los aspectos más innovadores de este desarrollo es el uso de bismuto en los transistores. A diferencia del silicio, este material permite una mayor movilidad de electrones y reduce la dispersión de corriente, por lo que mejora la eficiencia energética y el rendimiento del chip.
Con información de Venezuela News
